Транзистор как датчик температуры
Транзистор как датчик температуры
Отметим величину напряжения при подключении к схеме источника питания. Подогреем корпус транзистора паяльником не касаясь его — напряжение на резисторе начинает расти. Отведем паяльник в сторону — через некоторое время стрелка вольтметра вернется на прежнее место. Если постоянный резистор 5,1 кОм заменить на переменный, получим возможность изменять уровень напряжения на подвижном контакте при заданной температуре среды в теплице.
Но первый эксперимент показывает, что изменение напряжения на резисторе 5,1 кОм мало, а транзистор приходится сильно нагревать. Если увеличить это изменение напряжения при небольшом нагреве транзистора, то в принципе решается задача включения соответствующей нагрузки.
Увеличить это изменение напряжения можно, если собрать схему Резистор 5,1 кОм заменим на 4,7 кОм, так как часть тока будет ответвляться в базу транзистора усилительного каскада.
Вращением движка потенциометра 4,7 кОм необходимо добиться максимального напряжения на колллекторе транзистора КТ315. Опять подогреем транзистор МП25Б — напряжение на коллекторе упадет почти до нуля и довольно быстро, причем при меньшем нагреве термодатчика. Уберем паяльник — напряжение так же быстро восстановится.
Из этих нехитрых экспериментов можно сделать следующие выводы.
При нагреве транзистора МП25Б ток через него меняется — это регистрирует вольтметр в виде изменения напряжения на резисторе, включенном последовательно с транзистором МП25Б. Значит, этот транзистор может быть использован в качестве термодатчика при повышении температуры окружающей среды.
Чтобы получить командный сигнал, т. е. большое изменение напряжения за короткий промежуток времени при малом нагреве (при малом изменении температуры окружающей среды), необходим усилитель, управляемый термодатчиком.
Из этих выводов следует, что на основе транзистора МП25Б, используемого в качестве термодатчика, и усилителя напряжения с большим коэффициентом усиления, можно создать электронный термометр для контроля и регулирования температуры внутри теплицы при ее повышении. Попросту говоря, такая схема в состоянии вовремя включить вентилятор и проветрить теплицу, оранжерею или замкнутый объем, где установлена гидропонная установка — застекленный балкон или лоджия.
А как быть, если температура среды понизится и нужно включать не вентилятор, а калорифер, чтобы поднять температуру?
Поменяем местами термодатчик и переменный резистор и включим последовательно с ним еще один на 36 кОм рис. ниже. С помощью движка потенциометра добьемся максимального напряжения на коллекторе транзистора KT315.
Нальем в чашку немного холодной воды, бросим кусочки колотого льда и опустим в воду термометр и транзистор МП25Б так, чтобы вода не касалась выводов транзистора. Через 1. 2 мин корпус транзистора остынет и вольтметр покажет быстрый спад напряжения почти до нуля.
Достанем кусочки льда из чашки и дольем теплой воды до прежнего уровня. Через некоторое время температура воды и корпуса транзистора восстановится и вольтметр отметит быстрый рост напряжения до первоначального уровня. Схема вернулась в исходное положение.
Из этих опытов следует: при охлаждении транзистора МП25Б ток через него также меняется, но в обратную сторону и при перемене места подключения транзистора МП25Б в прежней схеме его можно использовать в качестве термодатчика при понижении температуры.
И здесь напрашивается основополагающий вывод: на основе транзистора МП25Б, используемого в качестве термодатчика и усилителя с большим коэффициентом усиления, можно создать электронный термометр для контроля и регулирования температуры в теплице при ее понижении. Эта схема вовремя включит калорифер или систему обогрева почвы.
Усилитель же с большим коэффициентом усиления необходим для включения нагрузок при малейшем изменении температуры (0,5. 2 °С). Датчики воздушных термометров представляют собой собственно транзисторы указанных выше типов. Необходимо отметить, что чем выше статический коэффициент передачи тока транзистора (коэффициент усиления), тем чувствительнее датчик.
Индикатор температуры на транзисторах
Как работает транзисторный датчик температуры
Одна из особенностей полупроводников это их чувствительность к температуре окружающей среды и ее вариациям. В приведенной схеме в качестве такого термочувствительного элемента использован кремниевый диод VD1. Он подключен к эмиттерной цепи транзистора VT1. Начальный ток через диод задается переменным резистором R1. Сопротивление подбирается таким образом, чтобы светодиод HL1 едва светился.
Теперь, если прикоснуться к диоду VD1 пальцем или каким-либо нагретым предметом, его сопротивление уменьшится, а значит, уменьшится и падение напряжения на его p-n переходе. В итоге коллекторный ток транзистора VT1 увеличится и падение напряжения на резисторе R3. Второй транзистор VT2 начнет закрываться, а VT3 напротив, открываться. Степень яркости светодиода будет возрастать. После охлаждения диода VD1 яркость светодиода HL1 достигнет первоначального значения.
Схожие результаты получится добиться, если нагревать транзистор VT1. Нагрев транзистора VT2, а тем более VT3 на яркость светодиода практически не скажется. Это объясняется слишком малым изменением тока через них.
Данные эксперименты наглядно доказывают утверждение, приведенное выше об изменении характеристик полупроводников в зависимости от окружающей температуры.
Датчик температуры
Зависимость падения напряжения на p-n переходе от температуры было замечено сразу после создания самого этого перехода. Это свойство полупроводников используется в электронных термометрах, датчиках температуры, термореле и т.д.
Простейшим датчиком температуры является p-n переход кремниевого диода, температурный коэффициент напряжения, которого равен, примерно, 3 мВ/°C, а прямое падение напряжения находится в районе 0,7В. Работать с таким маленьким напряжением неудобно, поэтому в качестве термозависимого элемента лучше использовать p-n переходы транзистора, добавив к нему базовый делитель напряжения. Полученный двухполюсник обладает свойствами цепочки диодов, т.е. падение напряжения на нем можно устанавливать намного больше, чем 0,7В. Зависит оно от соотношения базовых резисторов R1 и R2 см. рис. 1.
Обладая отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, этот двухполюсник нашел применение в схеме питания варикапов. При повышении температуры, емкость варикапов начинает увеличиваться, но одновременно уменьшается падение напряжения на двухполюснике VT1, R1,R2, что ведет к увеличению напряжения на переменном резисторе и соответственно на варикапе, уменьшая его емкость. Таким образом, достигается температурная стабилизация резонансной частоты колебательного контура. На рисунке 2 показана схема двухполюсника, который можно использовать в качестве термодатчика в схемах электронных термореле и термометрах. Здесь есть одно неудобство, кристалл транзистора КТ315 размещен в пластмассовом корпусе, что повышает инерцию измерения температуры или срабатывания реле. И второе, это неудобство крепления его к объекту, температуру которого необходимо отслеживать. Например, для отслеживания температуры теплоотводов мощных ПП, лучше применить в качестве термодатчика транзистор КТ814. Конструкция этого транзистора позволяет крепить его непосредственно к радиатору, находящемуся под потенциалом земли, всего одним винтиком. Такой датчик используется в схеме терморегулятора для вентилятора, размещенной на сайте www. ixbt.com/spu/fan-thermal-control.shtml
Терморегулятор для вентилятора.
На рисунке 4 показана практическая схема для вентилятора охлаждения блока питания. Применение операционного усилителя средней мощности К157УД1 в качестве компаратора, позволило подключить пару вентиляторов от блока питания компьютера непосредственно на выход микросхемы, выходной ток которой, равен 0,3А. Температуру включения вентиляторов устанавливают резистором R5. Схема работает следующим образом. При нормальной температуре теплоотвода напряжение на выводе 9 микросхемы DA1 должно быть больше, чем на выводе 8. При этом на выходе DA1, выводе 6, будет потенциал близкий к напряжению питания схемы. Напряжение на вентиляторах при таких условиях будет практически равно «0». Вентиляторы выключены. При повышении температуры теплоотводов будет повышаться и температура транзистора VT1, что в свою очередь вызовет уменьшение напряжения на неинвертирующем входе 8 микросхемы DA1. Как только это напряжение будет меньше напряжения, установленного резистором R5, состояние компаратора изменится и на его выходе напряжение упадет примерно до потенциала земли. Вентиляторы включатся. Резистор R7 обеспечивает небольшой гистерезис схемы, что исключает неопределенное состояние выходного напряжения на выходе DA1 при равенстве входных напряжений. Плату терморегулятора лучше установить прямо на контролируемом радиаторе, чтобы его микросхема тоже обдувалась вентилятором. Транзистор VT1 соединяется с платой тремя проводами и устанавливается в непосредственной близости от мощных ПП.
Транзистор вместо терморезистора схема
Данный терморегулятор не только прост, но надежен, так как в нем нет механически размыкающихся контактов. Роль ключевого элемента выполняет тиристор VS1 типа КУ202Н. В то же время его схема не содержит дефицитных деталей. Вместо терморезистора я использую германиевый транзистор, любой из серии МП39— МП42. Базовый вывод этого транзистора не использую, его можно удалить или надежно изолировать.
Выбор других деталей для данной схемы также не представляет особых проблем, схема не слишком критична к типу используемых элементов. Практически все необходимое можно найти в любом старом транзисторном или ламповом приемнике. Стабилитрон Д814А (VD1) можно заменить на Д814Б или любой другой с напряжением стабилизации от 7 до 9 В. Транзистор VT2 — типа КТ315 с любым буквенным индексом. Тиристор VS1 — типа КУ202 или КУ201 с буквенным индексом от «К» до «Н». Диоды выпрямительного моста /Д2. /Д5— типа КД202 с буквой «Ж», «И». «Н». Последние можно заменить на Д226Б или «В», но при этом мощность нагревателя не должна преного моста /Д2. /Д5— типа КД202 с буквой «Ж», «И». «Н». Последние можно заменить на Д226Б или «В», но при этом мощность нагревателя не должна превышать 60 Вт. Если использовать по два диода Д226 в каждом плече моста, то мощность подключаемого к регулятору нагревателя можно увеличить до 130 Вт. С диодами типа КД202 мощность может быть до 600 Вт.
Величины сопротивлений резисторов также могут несколько отличаться от приведенных на схеме рис. 1. R1 — регулировка температуры — переменный резистор любого типа от 33 до 47 кОм. R2 — типа МЛТ-0,5 или 0,25 от 1,5 до 1,8 МОм. R3 и R4 — того же типа — 5,6. 6,8 кОм и 47. 51 кОм соответственно. R5 — МЛТ-2 от 18 до 20 кОм.
Детали регулятора температуры монтируют на печатной плате (рис. 2) из фольгированного гетинакса или текстолита толщиной 1,5. 2,0 мм. Проводники вырезают резаком по линейке. Расположение деталей на лицевой стороне платы показано на рис. 3. Размеры платы и рисунок проводников позволяют устанавливать на ней диоды как типа КД202, так и типа Д226.
Датчик температуры VT1 необходимо обязательно поместить в изолирующую тонкостенную пластмассовую трубку подходящего диаметра и соединить с платой парой свитых между собой проводников. Ручка на оси переменного резистора R1 также обязательно должна быть пластмассовой.
Несмотря на простоту, терморегулятор очень надежен в работе. За три года он меня ни разу не подводил.
Схема термореле показана на рис. 1. Теплочувствительный элемент этого автомата – полупроводниковый терморезистор, сопротивление которого при понижении температуры резко увеличивается. Так при комнатной температуре (20 С) его сопротивление составляет 51 кОм, а при 5-7 С уже почти 100 кОм, то есть возрастает почти в два раза. Именно это его свойство и используется в автоматическом регуляторе температуры.
Рис. 1 Схема термореле
При нормальной температуре сопротивление терморезистора R1 относительно мало, и на базу транзистора VT1 подается постоянное смещение, которое удерживает его в открытом состоянии. С уменьшением температуры сопротивление терморезистора увеличивается, ток базы уменьшается, и транзистор начинает закрываться. Тогда триггер Шмидта, собранный на транзисторах VT2 и VT3, «опрокидывается» (VT2 открывается, а VT3 закрывается) и подает смещение в цепь базы транзистора Т4, в эмиттерную цепь которого включено электромагнитное реле.
Транзистор VT4 открывается и включает реле К1. Подстроечным резистором R3 можно выбрать пороги срабатывания триггера и, следовательно, температуру, которую устройство будет автоматически поддерживать.
Диод VD2, включенный в обратном направлении, шунтирует обмотку реле и предохраняет транзистор от пробоя при включении реле, когда в его обмотке возникает ЭДС самоиндукции. Одновременно со срабатыванием реле начинает светиться светодиод HL1, который используется в качестве индикатора работы всего устройства.
Стабилитрон VD1 и резистор R9 образуют простейший параметрический стабилизатор напряжения для питания электронной схемы устройства, а конденсаторы С1 и С2 фильтруют выпрямленное диодным мостиком VD3-VD6 переменное напряжение.
Все детали, за исключением терморезистора R1, монтируются на печатной плате, которая находится в комнате вместе с электронным выключателем (схема 2). Когда при понижении температуры реле срабатывает и замыкает контакты К 1.1, на управляющем электроде симистора VS1 появляется напряжение, которое его отпирает. Цепь замыкается.
Теперь о налаживании электронной схемы. Прежде чем подключать контакты реле 4 к тиристору VS1, терморегулятор необходимо испытать и настроить. Сделать это можно так.
Возьмите терморезистор, припаяйте к нему длинный провод в двухслойной изоляции и поместите в тонкую стеклянную трубочку, заклеив с обоих концов эпоксидной смолой для герметичности. Затем включите питание электронного регулятора, опустите трубочку с терморезистором в стакан со льдом и, вращая движок подстроечного резистора, добейтесь срабатывания реле.
Всего хорошего, пишите to Elremont © 2005
Диод — наипростейший по своей комплектации прибор, обладающий свойствами полупроводника.
Между двумя крайностями диода (донорной и акцепторной) пролегает область пространственного заряда, иначе: p-n-переход. Этот «мост» обеспечивает проникновение электронов из одной части в другую, поэтому, в силу разноимённости составляющих его зарядов, внутри диода возникает довольно малый по силе, но всё-таки ток. Движение электронов по диоду происходит только в одну сторону. Обратный ход конечно есть, но совершенно незначительный, а при попытке подключить в этом направлении источник питания диод запирается обратным напряжением. Это увеличивает плотность вещества и возникает диффузия. Кстати, именно по этой причине диод носит название полупроводникового вентиля (в одну сторону движение есть, в другую — нет).
Если попытаться повысить температуру диода, то количество неосновных носителей (электронов двигающихся в обратном основному направлении) увеличится, а p-n-переход начнёт разрушаться.
Именно поэтому рабочая температура полупроводников имеет определённые ограничения
Принцип взаимодействия между падением напряжения на диодном p-n-переходе и температурой самого диода была выявлена практически сразу после того, как он был сконструирован.
В результате p-n-переход диода из кремния — это наиболее простой температурный датчик. Его ТКН (температурный коэффициент напряжения) составляет 3 милливольта на градус цельсия, а точка прямого падения напряжения — около 0,7В.
Для нормальной работы данный уровень напряжения излишне мало, поэтому чаще используется не сам диод, а транзисторные p-n-переходы в комплекте с базовым делителем напряжения.
В результате, конструкция по своим качествам соответствует целой последовательности диодов. Как итог, показатель по падению напряжения может быть гораздо большим, чем 0,7В.
Поскольку ТКС (температурный коэффициент сопротивления) диода является отрицательным (- 2mV/°C), то он оказался весьма актуальным для использования в варикапах, где ему отводится роль стабилизатора резонансной частоты колебательного контура. Контроль осуществляется при помощи температуры.
Данные по падению напряжения на диодах
При анализе показаний цифрового мультиметра можно отметить, что данные по падению напряжения на p-n-переходе для кремниевых диодов составляют 690-700 мВ, а у германиевых — 400-450 мВ (хотя этот вид диодов на данный момент практически не используется). Если во время замера температура диода поднимается, то данные мультиметра напротив снизятся. Чем значительнее сила нагрева, тем значительнее падают цифровые данные.
Обычно это свойство используется для стабилизации процесса работы в электронной системе (например, для усилителей звуковых частот).
Схема термометра на диоде.
Датчики температуры для микроконтроллера
На данный момент многие схемы строятся на микроконтроллерах, сюда же можно отнести и разнообразные измерители температуры, в которых могут быть применены полупроводниковые датчики при условии, что температура при их эксплуатации не превысит 125°C.
Поскольку градуирование температурных измерителей происходит ещё на заводе, калибровать и настраивать датчики нет никакой необходимости. Получаемые от них результаты в виде цифровых данных поступают в микроконтроллер.
Применение полученной информации зависит от программного наполнения контроллера.
Помимо прочего, такие датчики могут работать в термостатном режиме, то есть (при заранее заданной программе) включаться или выключаться по достижении определённой температуры.
Однако, если опорными станут другие температурные показатели, программу придётся переписывать.
Прочие сферы применения
Хотя на сегодняшний день выбор температурных датчиков весьма широк, никто не забывает про их диодный вариант, который достаточно часто применяется в электроутюгах, электрокаминах и электронике в самом широком её смысле.
Несмотря на ограничения по температурному режиму диодные датчики имеют свои значительные плюсы:
— запросто подойдут к огромному числу электронных приборов;
— превосходная чувствительность и точность.
Благодаря всем этим качествам область применения датчиков данного типа растёт из года в год.
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
Поделиться ссылкой:
Диод как датчик температуры : 1 комментарий
Германевые диоды типа Д9, Д2 — прекрасно работают при обратном включении, через сопротивление (реостат) 100 кОм ( примерно такое же обратное сопротивление диода), напр.питания 5-10 вольт. В средней точке получается примерно половина напряжения питания, которое можно сразу подавать на вход цифровых микросхем КМОП (561 ла7, тл2,…) и использовать как термостат вкл-выкл. Или создать «мост» диод+переменный резистор и делитель из двух резисторов, между которыми включить микроамперметр и получим термометр.
Транзистор как датчик температуры
Принцип измерения температуры основан на использовании отрицательного температурного коэффициента кремниевого диода. На определенном участке его вольт-амперной характеристики изменение напряжения на диоде составляет — 2 мВ на 1°С (рис. 10.1).
Особенно стабильно это свойство проявляется на полупроводниковом переходе транзистора, работающего в режиме диода (рис. 10.2).
Рис 10.1. Схема включения полупроводникового диода в качестве измерительного преобразователя температуры
Рис. 10.2. Схема включения биполярного транзистора в качестве измерительного преобразователя температуры
Рассмотрим особенность работы такого преобразователя и попробуем его использовать для измерения температуры дома, в автомобиле и т.д.
В качестве измерительного преобразователя (датчика) полупроводниковый переход можно применять для контроля температуры в холодильнике, для оповещения о пожаре в системе пожарной сигнализации.
Рис. 10.4. Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода типа 1N4148 (1) и биполярного транзистора типа ВС108 (2)
Из полученных кривых очевидно, что при токе через диод 400 мА и температуре 20° С напряжение на диоде составляет 0,7 В. При увеличении температуры на 45° С напряжение уменьшается на 90 мВ. Поделим 90 мВ на 45°С и получим обещанные 2 мВ на 1°С.
На рис. 10.4 для сравнения приведены характеристики диода типа 1N4148 и транзистора типа ВС 108. Кривая транзистора в области малых токов имеет большую крутизну, таким образом, реализованный на нем измерительный преобразователь будет иметь большую чувствительность, для повышения которой следует выбрать транзистор с высоким коэффициентом усиления по току и малым обратным током. Для этой цели годится транзистор типа ВС108С или ВС109С. Благодаря такой характеристике транзисторы этого типа часто используются в качестве защитных диодов во входных цепях различных электронных устройств, поскольку при напряжении около 0,5 В они практически не оказывают влияния на входное сопротивление устройства, к которому подключаются.
На рис. 10.5,а приведена принципиальная схема устройства для измерения температуры. Транзистор, выполняющий функцию измерительного преобразователя, включен в мостовую схему, напряжение с диагонали которой подается на вход операционного усилителя. С помощью последнего сигнал в несколько милливольт усиливается до значения, достаточного для работы измерительного прибора. На рис. 10.5в мостовая измерительная схема приведена отдельно, буквами а и b на ней обозначена диагональ, в которую включен операционный усилитель.
Мощность потерь на транзисторе 0,5 мА*0,6 В = 300 мкВт.
Нам также не следует забывать о температурной нестабильности мостовой схемы. Если элементы этой схемы подвержены колебаниям температуры, то все входящие в нее резисторы должны иметь по возможности одинаковое значение температурного коэффициента сопротивления, т.е. необходимо использовать однотипные резисторы. Целесообразно применять резисторы, изготовленные из металлизированной ленты.
Параметры потенциометров Р2 и Р3 также следует очень тщательно подбирать, причем значения их сопротивлений должны быть даже меньше, чем указано на рис. 10.5, поскольку балансировку мостовой схемы можно осуществлять путем подбора сопротивлений. резисторов R1 и R2. Потенциометры Р1 и Р2 должны быть выполнены в керамическом корпусе.
Теперь о диапазоне измеряемых температур. Для рассмотрения этого вопроса выберем на шкале измерительного прибора точку 0,8 В (при этом ток равен 0,2 мА), что соответствует диапазонам измерения напряжения Ue и тока Ie. Измерительная цепочка расположена на рис. 10.5,a между точками A и В. В принципе потенциометр Р1 вводить в схему необязательно (рис. 10.5, б). Однако без него можно повредить измерительный прибор, особенно если он имеет высокую чувствительность, например когда Ue = 0,1 В. В этом случае целесообразно вместо потенциометра Р1 включать токоограничительный резистор, не позволяющий отклоняться стрелке прибора далее значений 0,7—1,0 В.
Задавшись напряжением Ue = 0,8 В, можно определить коэффициент усиления операционного усилителя
Для вычисления параметров элементов, определяющих диапазон измеряемых температур, рассмотрим некоторые примеры расчета.
Пример 1. На рис. 10.6,а приведена шкала температур от 0 до 40°С, соответствующая линейной шкале 0—10 измерительного прибора. Изменение температуры на 40° С приведет к изменению напряжения на преобразователе (транзисторе) на 2мВ/°С*40°С = 80 мВ. Эти 80 мВ на входе операционного усилителя должны быть на его выходе доведены до 800 мВ (мы выбрали напряжение выше Ue = 0,8 В) и поданы затем на измерительный прибор. Легко видеть, что в этом примере коэффициент усиления операционного усилителя Кус = 800 мВ/80 мВ = 10.
При Р3 = 1 МОм имеем R1 + R2 = R3/Kyc = F = 1 МОм/10 = 100 кОм.
Регулировка схемы осуществляется следующим образом. Сначала транзистор помещают в металлическую герметичную капсулу (рис. 10.7).
Два вывода транзистора выводят из капсулы, изолируют и включают в мостовую схему. Затем капсулу с транзистором опускают в воду со льдом и с помощью потенциометра стрелку прибора устанавливают в нуль. Оптимальное положение движка потенциометра Р3, обеспечивающее возможность регулирования в обе стороны, устанавливают путем подбора сопротивления резистора R2. Затем капсулу с транзистором следует извлечь из воды и положить в непосредственной близости с элементами мостовой схемы.
Через некоторое время, когда температура капсулы сравняется с температурой элементов мостовой схемы, с помощью потенциометра Р2 следует установить стрелку прибора на деление 23° С по соответствующей шкале на рис. 10.6, а. После этого можно считать, что наше устройство настроено или проверено. В случае необходимости описанную процедуру следует повторить. Перед началом измерения устройство рекомендуется около 30 мин «выдержать» во включенном состоянии.
Пример 2. В соответствии с рис. 10.6, б рассмотрим диапазон измеряемых температур от 0 до 60°С. Изменение температуры в этом диапазоне дает напряжение 2мВ/°С*60°С = 120 мВ, снимаемое с измерительного преобразователя. Коэффициент усиления операционного усилителя. Кус = 800/120 = 6,66, тогда F = 1/6,66 = 150 кОм.
Настройка устройства осуществляется также, как и в примере 2.
Пример 3. В соответствии с рис. 10.6 диапазон измерения температур составляет от 0 до 100° С. Он может быть применен при определении температуры нагрева различных элементов электронных схем. Указанному диапазону температур соответствует напряжение на входе усилителя, равное 2 мВ/°С*100°С = 200 мВ. Коэффициент усиления операционного усилителя Кус = 800/200 = 4 и F = 1/4 = 250 кОм. Для настройки устройства при t = 100°С используем кипящую воду.
Пример 4. Приведенный на рис. 10.6,г шкала температур можно использовать в устройстве контроля температуры в помещениях различного назначения, а также для предупреждения о начале обледенения ветрового стекла автомобиля. Здесь точка 0 °С находится внутри шкалы. Разность температур между крайними делениями шкалы (—15 и +45° С) по аналогии с примером 2 составляет 60°С. Точка 0°С устанавливается так, как было описано ранее, т.е. используется вода со льдом. Нулевой температуре соответствует значение 2,5 на линейной шкале прибора. В качестве второй точки выбираем 22°С (комнатную температуру) и с помощью потенциомехра Р2 устанавливаем стрелку прибора на деление, соответствующее 22° С. Процесс настройки по двум точкам температурного диапазона можно повторить.
Для первого раза рекомендуем суммарное сопротивление F= R1 + Р2 подобрать с помощью омметра. При Ue= 0,8 В целесообразно использовать сочетания R1 и Р2, приведенные в табл. 10.1 для рассмотренных примеров.
Таблица 10. 1. Рекомендуемые значения сопротивлений R1 и Р2
Несколько слов о самом устройстве. В нем используется транзистор типа ВС108С или ВС109С. При большой длине выводов транзистора, расположенного в капсуле (рис. 10.7), их необходимо экранировать. Отверстия для проводов в капсуле должны быть герметичными во избежание попадания в нее влаги и увеличения переходного сопротивления в местах пайки проводов к выводам транзистора. Такое уплотнение обеспечивается путем заливки указанных отверстий с проводами двухкомпонентным клеем. Можно также для этой цели использовать лак.
Приложение.
Отечественные аналоги зарубежных изделий электронной техники