Ряд клечковского как составлять

Правила последовательности заполнения электронных энергетических уровней и подуровней атомов элементов

Задача 20.
Каким принципам подчиняется последовательность заполнения электронных энергетических уровней и подуровней? Ответ иллюстрируйте примерами
Решение:
Электронные формулы отображают распределение электронов в атоме по энергетическим уровням, подуровням (атомным орбиталям). Электронная конфигурация обозначается группами символов nlx, где n – главное квантовое число, l – орбитальное квантовое число (вместо него указывают соответствующее буквенное обозначение – s, p, d, f), x – число электронов в данном подуровне (орбитали). Устойчивому (невозбужденному) состоянию многоэлектронного атома отвечает такое распределение электронов по атомным орбиталям, при котором энергия атома минимальна. Поэтому они заполняются в порядке последовательного возрастания их энергий. Этот порядок заполнения определяется правилом Клечковского (правило n + l ):
– заполнение электронных подуровней с увеличением порядкового номера атома элемента происходит от меньшего значения (n+l) к большему значению (n + l );
– при равных значениях (n + l ) заполняются сначала энергетические подуровни с меньшим значением. Последовательность заполнения энергетических уровней и подуровней следующая:

1s►2s►2р►3s►3р►4s3d►4р►5s►4d►5р►6s►(5d1)►4f►5d►6р►7s►(6d1-2)►5f►6d►7р

Поэтому, например, в атоме элемента скандия Sc после заполнения 4s-орбиталей заполняются 3d-орбитали, а не 4р:

1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 4s 2 3d 1

Электронные формулы элементов все жеи ногда пишут, используя нумерацию уровней и орбиталей. Тогда электронная формула Sc будет имееть вид:

1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 1 4s 2

Таким образом, правила Клечковского илюстрируют последовательность заполнения электронных энергетических уровней и подуровней. Првильно составлять электронную формулу атома элемента с использованием правил Клечковского.

Задача 21.
Напишите электронные формулы атомов марганца и селена. Распределите электроны этих атомов по квантовым ячейкам. К какому электронному семейству относится каждый из этих элементов?
Решение:
Так как число электронов в атоме того или иного элемента равно его порядковому номеру в таблице Д.И.Менделеева, то для элементов №25 (марганец) – d-элемент и №34 (селен) – p-элемент электронные формулы согласно правилам Клечковского имеют вид:

Источник

Лекции по химии

вторник, 20 марта 2012 г.

Правило Клечковского

Следуя правилу Клечковского заполнение подуровней происходит в последовательности увеличения суммы главного и орбитального квантового числа (n + l), причем при каждом значении суммы (n + l) заполнение подуровней идет в направлении увеличения n или уменьшения l.

Значение этого правила в том, что оно позволяет предсказать электронные конфигурации для атомов неизученных элементов.

Четвертый период и пятый

19К 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 4s 1

При дальнейшем возрастании заряда ядра у Sc заполняется 3d слой:

Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять21Sc 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 1 4s 2

2 s – элемента K, Ca

10 d элементов от Sc до Zn

6 p элементов (Ga до Kr) [от галия до криптона]

Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлятьПосле у последующих 6 ти элементов (Ga – Kr) заполняются р – орбитали, таким образом:

10 d элементов (Y [иттрий] – Cd [кадмий]) заполняется d слой

6 p элементов (In [индий] – Xe [ксенон]) заполняется последний слой

2 s – элемента Cs, Ba

1 d элемент La I (5d 1 6s 2 )

6 период – 32 элемента

Всего: 2s, 10d, 6p + ещё 14f элементов

7 период незавершен

Изложение показывает, что по мере роста заряда ядра происходит закономерная периодическая повторяемость сходных электронных структур элементов, а, следовательно, и повторяемость их свойств, которые зависят от строения электронной оболочки атомов.

Т.к. мы пришли с вами к периодическому закону Менделеева.

В результате возрастание энергии по энергетическим подуровням происходит примерно в следующем порядке:

1s ‹ 2s ‹ 2p ‹ 3s ‹ 3p ‹ 4s ‹ 3d ‹ 4p ‹ 5s ‹ 4d ‹ 5p ‹ 6s ‹ 4f ≈

2 s – элемента K, Ca

10 d элементов от Sc до Zn

6 p элементов (Ga до Kr) [от галия до криптона]

Источник

Правил Клечковского

1. Заполнение энергетических подуровней электронами происходит таким образом, чтобы сумма n+l была минимальна, т.е. min(n+l)

2. Если возможны два различных пути заполнения, при которых выполняется 1 правило, то реализуется тот путь, при котором минимально n, min(n).

Так, например, после подуровня 3p в указанной выше последовательности происходит заполнение не подуровня 3d, а подуровня 4s. Действительно, для подуровня 3d n+l=3+2=5, а для 4s n+l=4+0=4, что отвечает 1 правилу Клечковского. Для подуровней 6s, 5d, 4f сумма n+l соответственно равна 6+0, 5+2, 4+3. Для этой последовательности соблюдаются оба правила Клечковского.

Таким образом, в атоме каждому энергетическому уровню соответствует несколько подуровней. Для n>1 число подуровней числено совпадает с n (на втором уровне могут быть только два подуровня, на третьем уровне только три подуровня и т.д.).

Максимальное количество электронов N’, которые могут находиться на подуровне со значением орбитального квантового числа, равного l, определяется уравнением

C учетом этой формулы получается, что каждый тип орбитали характеризуется следующими максимальными числами электронов, которые могут на них располагаться

тип орбитали s p d f g h

максимум электронов 2 6 10 14 18 22

На каждой орбитали располагается не более двух электронов, причем согласно принципу Паули каждая пара электронов в пределах одной и той же орбитали должна иметь антипараллельные спины (т.е. s=1/2 и s=-1/2).

Источник

Сборник основных формул по химии для ВУЗов | Страница 2 | Онлайн-библиотека

Магнитное спиновое число ms характеризует ориентацию собственного магнитного момента электрона s, равного ½, относительно внешнего магнитного поля и принимает два значению: +½ и _ ½.

Электроны в атоме занимают уровни, подуровни и орбитали согласно следующим правилам.

Правило Паули: в одном атоме два электрона не могут иметь четыре одинаковых квантовых числа. Они должны отличаться по меньшей мере одним квантовым числом.

Из правила Паули следует, что на орбитали могут располагаться не более двух электронов, на подуровне может содержаться не более 2(2l + 1) электронов, на уровне содержится не более 2n 2 электронов.

Правило Клечковского: заполнение электронных подуровней осуществляется в порядке возрастания суммы (n + l), а в случае одинаковой суммы (n + l) – в порядке возрастания числа n.

Графическая форма правила Клечковского.

Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять

Согласно правилу Клечковского, заполнение подуровней осуществляется в следующем порядке: 1s, 2s, 2р, 3s, Зр, 4s, 3d, 4р, 5s, 4d, 5р, 6s, 4f, 5d, 6p, 7s, 5f, 6d, 7p, 8s,…

Электронные конфигурации ряда атомов отличаются от предсказанных по правилу Клечковского. Так, для Сr и Cu:

Правило Хунда (Гунда): заполнение ор-биталей данного подуровня осуществляется так, чтобы суммарный спин был максимален. Орбитали данного подуровня заполняются сначала по одному электрону.

Электронные конфигурации атомов можно записать по уровням, подуровням, ор-биталям. Например, электронная формула Р(15ē) может быть записана:

б) по подуровням 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 3 ;

Примеры электронных формул некоторых атомов и ионов:

V(23ē) 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 3 4s 2 ;

3. Химическая связь

3.1. Метод валентных связей

Согласно методу валентных связей, связь между атомами А и В образуется с помощью общей пары электронов.

Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлятьКовалентная связь. Донорно-ацепторная связь.

Валентность характеризует способность атомов образовывать химические связи и равна числу химических связей, образованных атомом. Согласно методу валентных связей, валентность равна числу общих пар электронов, а в случае ковалентной связи валентность равна числу неспаренных электронов на внешнем уровне атома в его основном или возбужденных состояниях.

Например, для углерода и серы:

Насыщаемость ковалентной связи: атомы образуют ограниченное число связей, равное их валентности.

Направленность ковалентной связи состоит в том, что она образуется в направлении максимального перекрывания орбиталей, образующих общую пару электронов.

В зависимости от типа гибридизации гибридные орбитали имеют определенное расположение в пространстве:

sp – линейное, угол между осями орби-талей 180°;

sp 2 – треугольное, углы между осями орбиталей 120°;

sp 3 – тетраэдрическое, углы между осями орбиталей 109°;

sp 3 d 1 – тригонально-бипирамидальное, углы 90° и 120°;

sp 2 d 1 – квадратное, углы между осями орбиталей 90°;

sp 3 d 2 – октаэдрическое, углы между осями орбиталей 90°.

3.2. Теория молекулярных орбиталей

Согласно теории молекулярных орбита-лей, молекула состоит из ядер и электронов. В молекулах электроны находятся на молекулярных орбиталях (МО). МО внешних электронов имеют сложное строение и рассматриваются как линейная комбинация внешних орбиталей атомов, составляющих молекулу. Число образующихся МО равно числу АО, участвующих в их образовании. Энергии МО могут быть ниже (связывающие МО), равны (несвязывающие МО) или выше (разрыхляющие, антисвя-зывающие МО), чем энергии образующих их АО.

Условия взаимодействия АО

1. АО взаимодействуют, если имеют близкие энергии.

2. АО взаимодействуют, если они перекрываются.

3. АО взаимодействуют, если имеют соответствующую симметрию.

Для двухатомной молекулы АВ (или любой линейной молекулы) симметрия МО может быть:

σ, если данная МО имеет ось симметрии,

π, если данная МО имеет плоскость симметрии,

δ, если МО имеет две перпендикулярные плоскости симметрии.

Присутствие электронов на связывающих МО стабилизирует систему, так как уменьшает энергию молекулы по сравнению с энергией атомов. Стабильность молекулы характеризуется порядком связи n, равным: n = (nсв – nразр)/2, где nсв и nразр — числа электронов на связывающих и разрыхляющих орбиталях.

Заполнение МО электронами происходит по тем же правилам, что и заполнение АО в атоме, а именно: правилу Паули (на МО не может быть более двух электронов), правилу Хунда (суммарный спин должен быть максимален) и т. д.

Взаимодействие 1s-AO атомов первого периода (Н и Не) приводит к образованию связывающей σ-МО и разрыхляющей σ*-МО:

Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять

Электронные формулы молекул, порядки связей n, экспериментальные энергии связей Е и межмолекулярные расстояния R для двухатомных молекул из атомов первого периода приведены в следующей таблице:

Другие атомы второго периода содержат, помимо 2s-AO, также и 2рх-, 2рy– и 2рz-АО, которые при взаимодействии могут образовывать σ– и π-MO. Для атомов О, F и Ne энергии 2s– и 2р-АО существенно различаются, и можно пренебречь взаимодействием 2s-AO одного атома и 2р-АО другого атома, рассматривая взаимодействие между 2s-AO двух атомов отдельно от взаимодействия их 2р-АO. Схема МО для молекул O2, F2, Ne2 имеет следующий вид:

Для атомов В, С, N энергии 2s– и 2р-АО близки по своим энергиям, и 2s-AO одного атома взаимодействует с 2рz-АО другого атома. Поэтому порядок МО в молекулах В2, С2 и N2 отличается от порядка МО в молекулах O2, F2 и Ne2. Ниже приведена схема МО для молекул В2, С2 и N2:

На основании приведенных схем МО можно, например, записать электронные формулы молекул O2, O2 + и O2¯:

В случае молекулы O2 теория МО позволяет предвидеть большую прочность этой молекулы, поскольку n = 2, характер изменения энергий связи и межъядерных расстояний в ряду O2 + – O2 – O2¯, а также парамагнетизм молекулы O2, на верхних МО которой имеются два неспаренных электрона.

3.3. Некоторые виды связей

М. А. Рябов, Е. Ю. Невская, Е. А. Сорокина, Т. Ф. Шешко: Сборник основных формул по химии: Краткий справочник студента1
I. Общая химия1
1. Основные понятия химии1
2. Строение атома и Периодический закон1
3. Химическая связь2
3.1. Метод валентных связей2
3.2. Теория молекулярных орбиталей2
3.3. Некоторые виды связей2
4. Закономерности протекания химических процессов3
4.1. Термохимия3
4.2. Химическая кинетика3
4.3. Химическое равновесие4
5. Окислительно-восстановительные реакции4
6. Растворы5
6.1. Концентрация растворов5
6.2. Электролитическая диссоциация5
6.3. Диссоциация слабых электролитов5
6.4. Диссоциация сильных электролитов5
6.5 Ионное произведение воды. Водородный показатель5
6.6. Буферные растворы5
6.7. Гидролиз солей5
6.8. Протолитическая теория кислот и оснований6
7. Константа растворимости. Растворимость6
8. Координационные соединения6
II. НЕОРГАНИЧЕСКАЯ ХИМИЯ6
1. Основные классы неорганических соединений6
1.1. Оксиды6
1.2. Основания7
1.3. Кислоты7
1.4. Соли7
2. IА-группа7
2.1. Получение и химические свойства щелочных металлов7
2.2. Получение и химические свойства соединений щелочных металлов8
3. IIА-группа8
3.1. Получение и химические свойства простых веществ8
3.2. Получение и химические свойства соединений8
4. IIIА-группа8
4.1. Химические свойства бора и его соединений8
4.2. Химические свойства алюминия и его соединений8
5. IVA-группа8
5.1. Свойства углерода и его соединений9
5.2. Получение и свойства кремния и его соединений9
5.3. Получение и свойства соединений олова и свинца9
6. VA-группa9
6.1. Получение и свойства азота и его соединений9
6.2. Получение и свойства фосфора и его соединений9
7. VIA-группа10
7.1. Кислород и его соединения10
7.2. Сера и ее соединения10
8. VIIA-группa10
8.1. Водород и его соединения10
8.2. Вода10
8.3. Фтор и его соединения11
8.4. Хлор и его соединения11
8.5. Бром, иод и их соединения11
9. d-Элементы11
9.1. Хром и его соединения11
9.2. Марганец и его соединения11
9.3. Железо и его соединения11
9.4. Медь и ее соединения12
9.5. Серебро и его соединения12
9.6. Цинк и его соединения12
III. Аналитическая химия12
1. Теоретические основы аналитической химии12
2. Качественные реакции катионов13
2.1. I аналитическая группа13
2.2. II аналитическая группа13
2.3. III аналитическая группа13
2.4. IV аналитическая группа14
2.5. V аналитическая группа14
2.6. VI аналитическая группа14
3. Качественные реакции анионов14
3.1. I аналитическая группа14
3.2. II аналитическая группа15
3.3. III аналитическая группа15
4. Количественный анализ15
4.1. Титриметрический (объемный) анализ15
4.2. Метод нейтрализации15
4.3. Метод комплексонометрии15
4.4. Жесткость воды. Определение жесткости воды15
4.5. Методы редоксиметрии16
4.6. Фотоколориметрия16
IV. Органическая химия16
1. Алканы16
2. Циклоалканы16
3. Алкены17
4. Алкины17
5. Диеновые углеводороды17
6. Ароматические углеводороды17
7. Галогеноуглеводороды18
8. Спирты18
9. Фенолы19
10. Альдегиды и кетоны19
11. Карбоновые кислоты и их производные19
12. Жиры20
13. Амины20
14. Аминокислоты20
15. Углеводы. Моносахариды. Олигосахариды. Полисахариды21
V. ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ22
1. Основные понятия термодинамики22
1.1. Первое начало термодинамики22
1.2. Применение первого начала термодинамики к гомогенным однокомпонентным закрытым системам22
1.3. Второе начало термодинамики. Энтропия23
1.4. Термодинамические потенциалы23
2. Фазовые равновесия23
2.1. Диаграмма состояния воды23
3. Свойства растворов24
3.1. Термодинамика растворов24
3.2. Коллигативные свойства растворов неэлектролитов24
3.3. Растворы электролитов24
3.4. Коллигативные свойства растворов электролитов:24
4. Электропроводность растворов электролитов25
5. Электрохимические процессы25
5.1. Электродные потенциалы. Гальванические элементы. ЭДС25
5.2. Классификация электродов26
6. Поверхностные явления и адсорбция26
6.1. Поверхностное натяжение и адсорбция по Гиббсу26
6.2. Адсорбция на границе твердое тело – газ27
6.3. Адсорбция из растворов электролитов27
7. Коллоидные (дисперсные) системы27
7.1. Классификация и способы получения дисперсных систем27
7.2. Оптические свойства дисперсных систем27
7.3. Молекулярно-кинетические свойства28
7.4. Строение мицеллы28
7.5. Устойчивость и коагуляция28

Источник

Правило Клечковского

Правило Клечковского (также Правило n+l; также используется название правило Маделунга) — эмпирическое правило, описывающее энергетическое распределение орбиталей в многоэлектронных атомах.

Правило Клечковского гласит:

Заполнение электронами орбиталей в атоме происходит в порядке возрастания суммы главного и орбитального квантовых чисел Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять. При одинаковой сумме раньше заполняется орбиталь с меньшим значением Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять.

Правило n+l предложено в 1936 г. немецким физиком Э. Маделунгом; в 1951 г. было вновь сформулировано В. М. Клечковским.

Содержание

Распределение электронов по орбиталям в водородоподобных и многоэлектронных атомах

По мере увеличения суммарного числа электронов в атомах (при возрастании зарядов их ядер, или порядковых номеров химических элементов) атомные орбитали заселяются таким образом, что появление электронов на орбитали с более высокой энергией зависит только от главного квантового числа n и не зависит от всех остальных квантовых чисел, в том числе и от l. Физически это означает, что в водородоподобном атоме (в отсутствие межэлектронного отталкивания) орбитальная энергия электрона определяется только пространственной удаленностью зарядовой плотности электрона от ядра и не зависит от особенностей его движения в поле ядра. Поэтому энергетическая последовательность орбиталей в водородоподобном атоме выглядит просто:

Эта энергетическая последовательность легко может быть описана при помощи эмпирического правила суммы двух первых квантовых чисел, разработанного в 1951-м году В. М. Клечковским и иногда называемого правилом (n+l). Это правило основано на зависимости орбитальной энергии от квантовых чисел n и l и описывает энергетическую последовательность атомных орбиталей как функцию суммы Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять. Суть его очень проста:

орбитальная энергия последовательно повышается по мере увеличения суммы Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять, причём при одном и том же значении этой суммы относительно меньшей энергией обладает атомная орбиталь с меньшим значением главного квантового числа Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять. Например, при Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлятьорбитальные энергии подчиняются последовательности Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять, так как здесь для Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять-орбитали главное квантовое число наименьшее Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять, для Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять-орбитали Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять; наибольшее Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять, Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять-орбиталь занимает промежуточное положение Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять.

При заполнении орбитальных оболочек атома более предпочтительны (более энергетически выгодны), и, значит, заполняются раньше те состояния, для которых сумма главного квантового числа Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлятьи побочного (орбитального) квантового числа Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять, т.е. Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять, имеет меньшее значение.

Правило (n+l) в целом хорошо иллюстрирует таблица 1, где по мере постепенного возрастания суммы (n+l) приведена энергетическая последовательность атомных орбиталей. В этой таблице не указаны нереальные (запрещенные квантовой механикой атома) варианты, для которых не выполняется обязательное требование n>l, в частности не указаны комбинации для (n+l)=6:

n123
l543
Таблица 1. Энергетическая последовательность орбиталей в изолированных атомах

(n+l)nlАтомные орбитали
1101sПервый период
2202sВторой период
3212p
303sТретий период
4313p
404sЧетвёртый период
5323d
414p
505sПятый период
6424d
515p
606sШестой период
7434f
525d
616p
707sСедьмой период
8535f
626d
717p
808sНачало восьмого периода

Приведённую в таблице очерёдность заполнения электронами атомных орбиталей удобно представить в виде схемы:

Ряд клечковского как составлять. Смотреть фото Ряд клечковского как составлять. Смотреть картинку Ряд клечковского как составлять. Картинка про Ряд клечковского как составлять. Фото Ряд клечковского как составлять

Исключения из правила Клечковского

Эмпирическое правило Клечковского и вытекающее из него схема очерёдностей несколько противоречат реальной энергетической последовательности атомных орбиталей только в двух однотипных случаях: у атомов Cr, Cu, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Pt, Au [1] имеет место “провал” электрона с s-подуровня внешнего слоя на d-подуровень предыдущего слоя, что приводит к энергетически более устойчивому состоянию атома, а именно: после заполнения двумя электронами орбитали 6s следующий электрон появляется на орбитали 5d, а не 4f, и только затем происходит заселение четырнадцатью электронами 4f орбиталей, затем продолжается и завершается заселение десятиэлектронного состояния 5d. Аналогичная ситуация характерна и для орбиталей 7s, 6d и 5f.

Мнемоническое правило

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *